隨后，郝躍院士與創新中心全體教職工進行座談交流。座談會上，聽取了創新中心執行主任劉志宏關于平臺建設進度匯報后，郝躍院士就創新中心建設取得的階段性成績給予了肯定。他指出，第三代半導體發展正迎來政策的窗口期，未來幾年將是第三代半導體技術和產業飛速發展的重要時期，我們應積極抓住發展機遇，用好外部資源，加強內生動力，努力把政策紅利轉化為發展推力，加快發展步伐，盡快產出成效。同時，他還針對平臺建設工作給予了建設性指導意見：
一、做到技術開發與平臺建設協同推進。技術開發方面，要在細分領域突出特色和優勢，做到“人有我優，人無我有”，努力做出新的研發成就，不斷實現新的突破；平臺建設方面，要鎖定產業化發展方向，立足廣東，加快建成產線，形成穩定的產品開發，服務地方社會和經濟發展；
二、明確技術開發產品種類和路線。進一步明確研發方向，形成清晰可行的實施方案，系統性考慮產線運行后如何在科研方向和產品上實現差異化；
三、建立規范化生產管理體系。要做到*的平臺匹配*的管理，盡快建立產線標準化生產流程，形成可追溯的質量管理體系，嚴格按照ISO9001標準進行品質管理，確保產品成品率和質量。
他勉勵創新中心全體人員牢牢把握發展機遇，積極*占科技創新制高點，吹響決戰沖鋒號，鉚足干勁再出發，為全力確保實現年底通線目標繼續努力。
